產(chǎn)品簡介
原理：根據(jù)硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質(zhì)濃度的關(guān)系，可直接測(cè)量、計(jì)算出晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度。 
適用范圍：它適合于測(cè)量橫截面尺寸是可測(cè)量的，而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒，例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。 
用途：根據(jù)測(cè)量沿錠長雜質(zhì)濃度的分布狀況決定產(chǎn)品的合格部分，通過雜質(zhì)濃度的直接測(cè)量，決定晶體生長過程中的摻雜數(shù)量。 
樣品可在常溫或低溫下測(cè)量。 
顯示方式：儀器連接PC機(jī)，通過測(cè)試軟件計(jì)算，用對(duì)數(shù)坐標(biāo)的方式來顯示雜質(zhì)濃度（含次方數(shù)）沿錠長的分布曲線，可對(duì)曲線圖進(jìn)行打印和保存。 
測(cè)量范圍： 可測(cè)晶體電阻率：0.005-3000Ω·cm。 
直流數(shù)字電壓表測(cè)量范圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。